VersaProbe III (Physical Electronics/PHI)

PHI VersaProbe III - cистема сканирующей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (технология XPS, ESCA, РФЭС). Данная система анализа поверхностей имеет улучшенную производительность и ряд дополнительных технических возможностей для полноценного изучения современных материалов. VersaProbe III является единственным прибором РФС, в котором осуществляется сканирование рентгеновским лучом, подобно работе SEM (СЭМ), что обеспечивает простую и комфортную работу с прибором. В архитектуре системы доступен целый ряд источников излучения, ионных пушек, а также вариантов обработки и переноса образца для исследований и обеспечения требований к сохранению характеристик образца при анализе. Испытательная камера VersaProbe III сконструирована для размещения нескольких источников фотонов, электронов и ионов, которые фокусируются в единой точке на образце и управляются с помощью пользовательского интерфейса SmartSoft. Основные сведения Система анализа поверхностей PHI VersaProbe III обеспечивает формирование изображений во вторичных электронах, индуцированных рентгеновским излучением (SXI-изображений) при сканировании образца сфокусированным рентгеновским пучком диаметром менее 10 мкм (подобно тому, как это происходит в SEM при сканировании электронным пучком). Подобно работе с SEM/EDS, SXI-изображения на PHI VersaProbe III используются для определения местоположения объектов интереса и выбора в реальном времени областей и точек для анализа. Изображения используются для навигации по областям интереса и выбора участков для анализа в режиме реального времени. Навигация по SXI-изображениям обеспечивает полную уверенность в обнаружении даже небольших объектов интереса, избегая при анализе областей с загрязнением и неоднородностями. SXI-изображения, характеризуясь фотоэлектронным контрастом, различным для разных материалов, часто позволяют обнаружить топографические особенности поверхности, которые не видны оптически. Ключевые возможности Многоточечное профилирование по глубине (технология сканирования PHI позволяет определять точки анализа на SXI-изображении и получать профили распределения концентраций химических элементов по глубине в множестве точек в одном кратере, образуемом в процессе ионно-лучевого травления. Для образцов, для которых площадь распыления должна быть сведена к минимуму, это уникальный инструмент для изучения включений дефектных участков и анализа смежных областей.); Оптимальная конфигурация для профилирование тонких пленок (сфокусированный рентгеновский пучок, высокочувствительный спектрометр, высокоэффективная аргонная пушка, система двухлучевой нейтрализации заряда, компуцентрическое вращение Залара и передовые алгоритмы обработки данных обеспечивают высокую производительность XPS (РФЭС)-профилирования по глубине. Стандартная моноатомная ионная пушка системы обеспечивает генерацию потока ионов Ar с энергией от 5 эВ до 5 кэВ и идеально подходит для профилирования по глубине неорганических материалов.); Комплексное исследование структуры электронных зон (ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (UPS) – анализ валентной зоны и низкоэнергетическая инверсионная фотоэмиссия (LEIPS) - анализ зоны проводимости); Оже-электронная спектроскопия (AES); Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов (REELS); Профилирование по глубине органических материалов с источником кластерных ионов аргона (опция); Профилирование по глубине смешанной матрицы с источником кластерных ионов С60 (опция). Базовый функционал Сканирование сфокусированным монохроматическим рентгеновским микропучком Формирование изображений во вторичных электронах, индуцированных рентгеновским пучком (SXI) Система двухлучевой нейтрализации заряда Детектирование данных по 128 каналам Визуализация химического состояния Многоточечное профилирование по глубине в одном кратере распыления Регулируемая ионная пушка моноатомного Ar Компуцентрическое вращение Залара Углозависимый XPS Пятиосевой автоматизированный держатель образцов Поддержка образцов диаметром от 25 до 60 мм Опционально • Низкоэнергетическая инверсионная фотоэмиссия (LIPS) • Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов (REELS) • Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (UPS) • Держатель для электрохимической полировки • Ионная пушка С60 на 20 кВ • Газовый ионный кластерный пучок (GCIB) • Сканирующая электронная oже-спектроскопия (AES) • Двойной анод, ахроматический источник рентгеновского излучения • Аналитическая камера с нагревом и охлаждением • Изготовление камер для пробоподготовки по требованиям заказчика • Ёмкость для переноса образцов с функцией контроля условий окружающей среды